JК
Журнал Компьютерра - 11 от 20 марта 2007 года :: Компьютерра
Страница: 23 из 149Лучше уж пусть останется Стандартная модель и отыщется один тяжелый бозон Хиггса, чем появится множество легких бозонов и потребуется более сложная модель, их описывающая. ГА
Седьмая пуля
Физикам из Университета Небраски в Линкольне впервые удалось наблюдать квантование электрического сопротивления в зависимости от внешнего магнитного поля у кобальтового контакта атомных размеров. Этот эффект, в принципе, позволяет изготовить считывающую магнитную головку из нескольких атомов и может стать основой магнитных запоминающих устройств будущих поколений.
Магнитные головки современных винчестеров работают на открытом в 1988 году так называемом гигантском магниторезистивном эффекте — сильной зависимости электрического сопротивления специальной тонкопленочной структуры от внешнего магнитного поля. Новый квантовый эффект, предсказанный теоретиками из того же университета в 2005 году, обещает магнитным устройствам хранения информации качественный скачок. Авторы окрестили его «баллистической анизотропной магниторезистивностью». Анизотропной она названа из-за зависимости эффекта от взаимной ориентации направлений магнитного поля и электрического тока в проводнике.
Баллистическим называют движение электронов, которые летят в проводнике по прямой, как пуля в стволе, не рассеиваясь. Поскольку с точки зрения квантовой теории электрон, как и любая частица, одновременно еще и волна, баллистический режим возникает, если размеры проводника уменьшаются до длины волны электронов проводимости.
Седьмая пуля
Физикам из Университета Небраски в Линкольне впервые удалось наблюдать квантование электрического сопротивления в зависимости от внешнего магнитного поля у кобальтового контакта атомных размеров. Этот эффект, в принципе, позволяет изготовить считывающую магнитную головку из нескольких атомов и может стать основой магнитных запоминающих устройств будущих поколений.
Магнитные головки современных винчестеров работают на открытом в 1988 году так называемом гигантском магниторезистивном эффекте — сильной зависимости электрического сопротивления специальной тонкопленочной структуры от внешнего магнитного поля. Новый квантовый эффект, предсказанный теоретиками из того же университета в 2005 году, обещает магнитным устройствам хранения информации качественный скачок. Авторы окрестили его «баллистической анизотропной магниторезистивностью». Анизотропной она названа из-за зависимости эффекта от взаимной ориентации направлений магнитного поля и электрического тока в проводнике.
Баллистическим называют движение электронов, которые летят в проводнике по прямой, как пуля в стволе, не рассеиваясь. Поскольку с точки зрения квантовой теории электрон, как и любая частица, одновременно еще и волна, баллистический режим возникает, если размеры проводника уменьшаются до длины волны электронов проводимости.