JК
Физические эффекты и явления :: Автор неизвестен
Страница: 35 из 311Не будет ли свет влиять на пластические свойства полупроводников? Советские ученые Осиньян и Савченко на этот вопрос отвечают утвердительно. Их открытие зарегистрировано под номером 93 в такой формулировке:
"Установлено ранее неизвестное явление,заключающееся в изменении сопротивления пластической деформации кристаллов полупроводников под действием света, причем максимальное изменение происходит при длинных волн, соответствующих краю собственного поглащения кристаллов".
В их опытах образцы полупроводников сжимались и растягивались до наступления пластической деформации. Затем образец освещался светом. Вызванное им перераспределение носителей заряда оказывало тормозящее действие на дислокации носителей пластической деформации и тотчас прочность образца увеличивалась почти вдвое. Стоило выключить свет, как прочность уменьшалась и вскоре достигала своего первоначального значения.
Дальнейшие исследования привели к наблюдению еще одного интересного явления - и н ф р а к р а с н о г о гашения фотопластического эффекта.
Эффект фотопластичности предполагается использовать для
разработки нового типа элементов автоматики, новой тех
нологии полупроводнико,для создания качественно новых
приемников видимого светового и инфракрасного излуче
ния.
2.1.4. Э ф ф е к т Б а у ш и н г е р а .
"Установлено ранее неизвестное явление,заключающееся в изменении сопротивления пластической деформации кристаллов полупроводников под действием света, причем максимальное изменение происходит при длинных волн, соответствующих краю собственного поглащения кристаллов".
В их опытах образцы полупроводников сжимались и растягивались до наступления пластической деформации. Затем образец освещался светом. Вызванное им перераспределение носителей заряда оказывало тормозящее действие на дислокации носителей пластической деформации и тотчас прочность образца увеличивалась почти вдвое. Стоило выключить свет, как прочность уменьшалась и вскоре достигала своего первоначального значения.
Дальнейшие исследования привели к наблюдению еще одного интересного явления - и н ф р а к р а с н о г о гашения фотопластического эффекта.
Эффект фотопластичности предполагается использовать для
разработки нового типа элементов автоматики, новой тех
нологии полупроводнико,для создания качественно новых
приемников видимого светового и инфракрасного излуче
ния.
2.1.4. Э ф ф е к т Б а у ш и н г е р а .