Журнал Компьютерра -721   ::   Компьютерра

Windows Sochi - чем не название? АБ

Сдвиг по фазе



Традиционная

флэш-память, несмотря на ее повсеместное

распространение, имеет два существенных

недостатка. Во-первых, накопители

большого объема недешевы, а во-вторых,

характеристики флэшки ухудшаются с

течением времени. В качестве

альтернативы рассматриваются несколько

перспективных типов запоминающих

устройств - в частности, так называемая

магниторезистивная память (MRAM) и

память с изменяемым фазовым состоянием

(PRAM). Недавно проект очередного

"преемника флэшек" предложила

калифорнийская фирма

Nanochip.

Прежде чем перейти к

рассмотрению технологии, над которой она

работает, вкратце расскажем о самой

компании, основанной в 1996 году. Среди

ее спонсоров несколько известных

корпораций, в том числе вездесущая

Microsoft. А в январе этого года

Nanochip получила на дальнейшие

исследования 14 млн. долларов от Intel и

JK&B Capital. Компания, кстати, уже

имеет семь патентов и еще 34 заявки

находятся на стадии рассмотрения.

Теперь

собственно о новой методике. Nanochip

предлагает совместить энергонезависимую

память PRAM с массивом крошечных

"головок" чтения/записи, управляемых

микроэлектромеханической системой.