Журнал Компьютерра -767   ::   Компьютерра

Нодля устройства солидных размеров (около 150 нм), изготовленного из материала, который

был открыт лишь пять лет назад, это очень неплохой результат. Кроме того, вылизанные за многие годы кремниевые

транзисторы трудно сделать меньше 40 нм, и все возможности повышения их быстродействия уже практически исчерпаны.

Скорость переключения транзистора растет пропорционально скорости движения электронов в

канале и уменьшению размеров самого устройства. И тут графен (слой углерода толщиною в один атом) сулит захватывающие

перспективы хотя бы потому, что эффективная масса электронов в этом материале равна нулю и они движутся как

релятивистские частицы. Однако на практике реализовать потенциал графена пока не удавалось.

В новом полевом

транзисторе графеновый канал поместили на слой изолятора из диоксида кремния толщиной 300 нм, выращенный на кремниевой

подложке. Но подложку, как в большинстве других экспериментов, не стали использовать в роли затвора, а нанесли поверх

графена тонкий десятинанометровый слой изолятора из оксида алюминия и уже на нем разместили металлические электроды

затвора.

Измерения показали, что графеновый транзистор работает именно так, как предсказывает теория. А

дальнейшее уменьшение длины затвора, оптимизация геометрии устройства и свойств используемых диэлектриков позволит ему

функционировать в перспективном терагерцовом диапазоне частот.