Новый этап в развитии физики рентгеновских лучей   ::   Китайгородский Александр Исаакович

Все это совершенно справедливо, и действительно, рентгеновская оптика, так же как и оптика видимого излучения, переживает второе рождение.

Составитель поместил в книгу обзоры следующих тем: источники рентгеновских лучей большой интенсивности (авторы Иошиматсу и Козаки), рентгеновская литография (Шпиллер и Федер), рентгеновская и нейтронная интерферометрия (Бонзе и Графф), двумерная (секционная) топография (Отье), телевизионная топография (Гартманн).

Имея в виду огромную роль микроэлектроники, пожалуй, на первое место по значимости следует поставить статью, посвященную рентгеновской литографии. Эта область рентгеновской оптики имеет целью контроль и создание методов уплотнения интегральных схем, рисуемых на поверхности кристалла кремния или иного полупроводника. Авторы определяют рентгеновскую литографию, как применение рентгеновской микроскопии для изготовления микроэлектронных схем. Для этой цели нужно располагать маской, изготовленной из материала, поглощающего рентгеновские лучи, нужен «резист» высокого разрешения, чувствительный по отношению к рентгеновским лучам, и сильный источник мягких рентгеновских лучей, которые действовали бы через маску на «резист».

Рентгеновские лучи производятся обычным способом – бомбардировкой электронами охлаждаемого водой анода (энергия электронов 5–10 кэВ ). Маска позволяет рентгеновским лучам воздействовать лишь на нужные участки резиста, который после проявления дает изображение маски.