Журнал Компьютерра - 45 от 05 декабря 2006 года   ::   Компьютерра

Атомы примесей случайным образом располагаются в кремнии, и эта случайность в последние годы уже создаёт проблемы. Дело в том, что размеры современных транзисторов так малы, что в них помещается лишь несколько десятков атомов примеси. Поэтому положение и состояние каждого отдельного атома начинает заметно влиять на электронные свойства всего транзистора. И даже идеально изготовленные совершенно одинаковые транзисторы ведут себя слишком по-разному.

Это заставило учёных начать подробное изучение поведения каждого отдельного атома примеси. Они взяли промышленный экземпляр нового полевого FinFET-транзистора, изготовленного по технологии «кремний на изоляторе». Его канал от истока к стоку имеет ширину всего 35 нанометров. Транзистор охладили до низкой температуры и подобрали напряжение на затворе так, чтобы ток протекал через единственный атом мышьяка, который использовался как примесь. А приложив внешнее магнитное поле, учёным удалось дополнительно наблюдать различные квантовые состояния электронов на атоме примеси.

Специалисты высоко оценили новую экспериментальную технику. Отдельные атомы примесей можно использовать в квантовых вычислениях, и, возможно, собранная информация будет полезна для полупроводниковых реализаций квантовых компьютеров.