JК
Журнал Компьютерра - 5 от 06 февраля 2007 года :: Компьютерра
Страница: 11 из 167На канал нанесен изолирующий слой диэлектрика — диоксида кремния, а уже на нем расположен третий электрод — затвор из поликристаллического кремния. Меняя напряжение на затворе, можно влиять на проводимость канала — включать и выключать транзистор. Но чем меньше транзистор, тем тоньше слой диэлектрика и короче затвор. В результате растут утечки сквозь изолятор и другие потери. Это приводит к дополнительному нагреву чипа и снижает скорость переключения транзистора.
В новых транзисторах слой диоксида кремния заменен более толстым слоем диэлектрика с большой диэлектрической проницаемостью, которая не мешает полю затвора управлять каналом, но за счет большей толщины изолятора утечки затвора изрядно снижаются. Поскольку диэлектрическая проницаемость (большая она или малая) меряется относительно того же диоксида кремния (у которого k=3,9), то high-k-материал означает лишь большую проницаемость для электрического поля1. Проницаемость и толщина слоя изолятора в новых чипах в несколько раз выше, чем у современных процессоров, сделанных по тем же топологическим нормам. Состав диэлектрика держится в тайне, и пока известно лишь то, что он содержит кислород и гафний. На какой металл или сплав заменили кремний затвора, тоже пока страшный секрет. Утверждается, что эти меры позволили на 20% увеличить ток через транзистор и лучше его запирать, в пять раз уменьшив утечку между истоком и стоком. В новых процессорах Intel используются медные соединения, около двухсот миллионов транзисторов на ядро, а мощность, необходимая для переключения транзисторов, снижена на 30%.
В новых транзисторах слой диоксида кремния заменен более толстым слоем диэлектрика с большой диэлектрической проницаемостью, которая не мешает полю затвора управлять каналом, но за счет большей толщины изолятора утечки затвора изрядно снижаются. Поскольку диэлектрическая проницаемость (большая она или малая) меряется относительно того же диоксида кремния (у которого k=3,9), то high-k-материал означает лишь большую проницаемость для электрического поля1. Проницаемость и толщина слоя изолятора в новых чипах в несколько раз выше, чем у современных процессоров, сделанных по тем же топологическим нормам. Состав диэлектрика держится в тайне, и пока известно лишь то, что он содержит кислород и гафний. На какой металл или сплав заменили кремний затвора, тоже пока страшный секрет. Утверждается, что эти меры позволили на 20% увеличить ток через транзистор и лучше его запирать, в пять раз уменьшив утечку между истоком и стоком. В новых процессорах Intel используются медные соединения, около двухсот миллионов транзисторов на ядро, а мощность, необходимая для переключения транзисторов, снижена на 30%.