Журнал Компьютерра - 5 от 06 февраля 2007 года   ::   Компьютерра

Вынужденная реакция IBM породила более краткий пресс-релиз. Сообщается, что партнеры тоже совершили революцию и собираются использовать high-k and metal gate транзисторы и 45-нм технологию, но только в 2008 году. Детали пообещали раскрыть позже, на очередных отраслевых конференциях. В IBM тоже будут использовать соединения гафния, в чем нет большого сюрприза. Работы с диоксидом и силикатами гафния (HfSiO, HfSiON) ведутся давно, HfO2, например, имеет коэффициент диэлектрической проницаемости около 25, то есть в шесть с лишним раз выше, чем у диоксида кремния. Некоторые источники утверждают, что транзисторы альянса IBM идеологически более совершенны, но Intel, похоже, примерно на год опережает конкурентов. Другие считают, что преимущества у Intel есть, но они временные.

Что ж, остается только подождать появления новых процессоров, знаменующих переход в чипостроении от века каменных затворов (длившегося сорок лет) к веку металла. Их тесты, а не громкие заявления производителей и покажут, кто на самом деле технологический лидер. Не стоит также забывать, что переход на более прогрессивную технологию вовсе не означает априорного увеличения производительности и уменьшения тепловыделения: потенциальными преимуществами еще нужно уметь воспользоваться, а это ой какая непростая инженерная задача. ГА

1 Не так давно чипостроители успешно рапортовали об использовании low-k-диэлектриков для изоляции проводников внутри чипа. Так вот, это совсем другая история — не дайте себя запутать.